赛富乐斯（Saphlux, Inc）科学家在SPIE Photonics West会议上发表邀请报告

2020年2月6日，由美国国际光电学工程协会（SPIE）于加州旧金山举办的美国西部光电展Photonics West 2020，在持续6天后落下了帷幕。SPIE成立于1955年，是推动光学技术发展的国际非营利性专业组织，目前已经为来自全球173个国家的25万余名从事光学及其相关领域的人员提供技术和服务。SPIE数字图书馆是世界上最大的光学和光子学应用的集合，研究内容涵盖生物医学、通信、传感器、电子、能源、成像等。作为全球顶级的光学和光子学组织，SPIE已有多名成员荣获包括“诺贝尔物理学奖”在内的诸多世界顶级学术荣誉。由SPIE主办的美西光电展目前是北美地区规模最大的光学领域贸易博览会，也是光电子行业全球数一数二的知名展览会。它为来自全球1500多家光电子行业商家提供机会和平台展示最新的技术和产品、分享重要的研发信息并建立良好的联系。在同期举行的会议中，受邀的研究员或科学家带来了关于生物医学光学及生物成像、激光光源及应用、光电子材料及器件三个主题最前沿的报告陈述，推进整个行业的共同发展。

与会期间，Saphlux的科学家宋杰博士进行了邀请报告——关于纳米孔氮化镓（GaN）材料在Micro-LED领域的应用。Micro-LED是指在芯片上集成的高密度微尺寸LED阵列，具有自发光特性。相比于当前显示技术主流OLED和LCD，Micro-LED具有高亮度、低能耗、使用寿命长、响应速度快等优点，可广泛应用于手机、平板、笔记本电脑、电视、AR/VR设备、户外显示器、抬头显示器(HUD)等领域，是未来显示领域的核心材料，将引领显示行业新革命。

宋杰博士在报告中展示了Saphlux团队新研发出的NPQD技术，为Micro-LED的研发和量产提供绝佳的解决方案。NPQD是指基于纳米孔结构（Nanopores）的量子点（Quantum Dot）色彩转换技术。形成于GaN材料内部的纳米孔结构是天然的量子点容器，它具有极高的散射效应，能够大幅增加有效光径，让量子点充分吸收激发光源，从而实现量子点极高的光转换效率。团队在纳米孔结构的GaN材料中填充红色、绿色量子点，实现了超过95%的高泵浦的（蓝）光吸收率和约93%的光转换效率，并制备成了尺寸为35µm x 35µm的全彩Micro-LED显示阵列。