加州大学团队在赛富乐斯（Saphlux, Inc）的半极性(20-21) 氮化镓/蓝宝石衬底上实现了紫色激光二极管的制备

2020年6月16号，美国加州大学圣塔芭芭拉分校HongjianLi博士的团队在学术期刊ACS Applied Electronic Materials上发表论文Demonstration of efficient semipolar 410 nm violet laser diodes heteroepitaxiallygrown on high-quality low-cost GaN/sapphire substrates，介绍了团队的研究成果。

在论文中，该研发团队表示：在Saphlux提供的高质量、低成本半极性（20-21）氮化镓蓝宝石衬底上，他们外延生长出了发光波长为410 nm的半极性紫色激光二极管。这是业界首次实现在蓝宝石衬底上异质外延生长的半极性(20-21)氮化镓材料上制备激光器。并且所制备的激光二极管表现出了极高的输出功率和电光转换效率。

在此之前，半极性激光器一般在半极性（20-21）体块氮化镓材料上制备，成本极其高昂。据估计，在相同面积下，半极性（20-21）体块材料的成本要比异质外延制备的半极性氮化镓衬底高出100多倍。因此，此项研究对于未来激光器的研发和制备有很大意义，它能够大幅降低激光器制备成本，使激光器在更多领域得到更广泛的应用。

激射前以及激射后的EL谱

激光器的正向电压和功率随电流的变化

图片出自ACS Applied Electronic Materials：Demonstration of efficient semipolar 410 nm violet laser diodes heteroepitaxiallygrown on high-quality low-cost GaN/sapphire substrates